一种二维金属-半导体范德华异质结阵列的合成及其应用
授权
摘要
本发明涉及一种二维(2D)金属‑半导体垂直范德华异质结(vdWH)阵列合成及其电学器件的制备方法，所述的通过激光刻蚀缺陷来诱导成核和生长2DvdWH阵列的方法可以将不同的材料整合到一起，而不需要满足传统vdWH合成中晶格匹配或者加工兼容性的硬性要求。本发明可以高度灵活地集成具有完全不同的化学成分，晶体结构或晶格取向的材料，以实现奇特的电子特性和新颖的器件功能。
基本信息
专利标题 ：
一种二维金属-半导体范德华异质结阵列的合成及其应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111146079A
申请号 ：
CN201911394739.4
公开（公告）日 ：
2020-05-12
申请日 ：
2019-12-30
授权号 ：
CN111146079B
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
段曦东李佳杨向东
申请人 ：
湖南大学
申请人地址 ：
湖南省长沙市岳麓区麓山南路2号
代理机构 ：
长沙市融智专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
盛武生
优先权 ：
CN201911394739.4
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 B82Y30/00 B82Y40/00 C23C14/06 C23C14/22 C23C14/24 C23C16/02 C23C16/30 C23C16/448 C30B23/00 C30B28/14 C30B29/46
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-06 ：
授权
2020-06-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20191230
申请日 : 20191230
2020-05-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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