一种转移金属电极构筑范德华晶体管的方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及晶体管技术领域，具体涉及一种转移金属电极构筑范德华晶体管的方法。首先通过模板法制备金属电极，然后通过膜辅助法将制备好的金属电极转移到半导体表面构筑晶体管器件，通过该方法构筑的晶体管，半导体表面和晶格不会被破坏，金属电极和半导体依靠范德华力形成接触，不会产生费米能级钉扎。即通过改变金属电极，使用不同功函数的金属与半导体形成异质结，异质结肖特基势垒高度不同，载流子输运类型可以改变。
基本信息
专利标题 ：
一种转移金属电极构筑范德华晶体管的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497374A
申请号 ：
CN202210042135.9
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张跃洪孟羽张铮杜君莉杜文龙高丽柳柏杉于慧慧汤文辉
申请人 ：
北京科技大学
申请人地址 ：
北京市海淀区学院路30号
代理机构 ：
北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
许佳
优先权 ：
CN202210042135.9
主分类号 ：
H01L51/40
IPC分类号 ：
H01L51/40 H01L51/10 C23C14/16 C23C14/24 C23C14/30 C23C14/35
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/40
申请日 : 20220114
申请日 : 20220114
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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