一种基于α-硒化铟纳米片的二维范德华铁电隧穿结存储器及其...
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种基于α‑硒化铟纳米片的二维范德华铁电隧穿结存储器及其构筑方法和应用，涉及半导体材料与器件技术领域。该存储器包括金属电极、少层六方氮化硼或氧化铪、α‑硒化铟纳米片、少层石墨烯及目标衬底；少层石墨烯完全覆盖目标衬底表面，α‑硒化铟纳米片部分覆盖少层石墨烯表面，少层六方氮化硼或氧化铪完全覆盖α‑硒化铟纳米片表面；金属电极为两个，分别沉积于少层六方氮化硼或氧化铪表面和少层石墨烯表面。本发明发挥二维铁电材料优势，通过简单、普适性强的方法构筑得到稳定性良好，能实现高阻值转变的存储器，对非易失性存储器领域具有重要意义。
基本信息
专利标题 ：
一种基于α-硒化铟纳米片的二维范德华铁电隧穿结存储器及其构筑方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388620A
申请号 ：
CN202210042071.2
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2022-01-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张跃汤文辉张铮于慧慧高丽张先坤洪孟羽曾浩然卫孝福
申请人 ：
北京科技大学
申请人地址 ：
北京市海淀区学院路30号
代理机构 ：
北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
许佳
优先权 ：
CN202210042071.2
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336 H01L29/51
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20220114
申请日 : 20220114
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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