半导体金属电容
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种半导体金属电容，其在填充介质中包含层叠式的电容结构，该结构由下到上依次为下层金属板、介电层、中间金属板、另一介电层和上层金属板，所述中间金属板由金属通孔与一个输出电极相连接，所述上层金属板和下层金属板分别金属通孔与另一输出电极相连接。本发明通过将多层金属层和介电层的叠加，增大了金属电极之间正对面积，从而大大的提高了金属电容的单位电容密度和半导体器件的性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体金属电容
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1979867A
申请号 ：
CN200510111037.2
公开（公告）日 ：
2007-06-13
申请日 ：
2005-12-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姚泽强徐向明
申请人 ：
上海华虹NEC电子有限公司
申请人地址 ：
201206上海市浦东新区川桥路1188号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁纪铁
优先权 ：
CN200510111037.2
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L27/102 H01L27/10 H01L27/00 H01L29/92 H01L23/52
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2009-05-06 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-08-08 ：
实质审查的生效
2007-06-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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