半导体电容

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

PDF下载

摘要

本发明公开了一种半导体电容，包括以层叠形式相互并联的一个PIP电容和一个N阱电容。本发明通过层叠形式相互并联两个电容，大大的提高了电容的单位电容密度和半导体器件的性能。

基本信息

专利标题：

半导体电容

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1983598A

申请号：

CN200510111550.1

公开（公告）日：

2007-06-20

申请日：

2005-12-15

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

徐向明李平梁龚顺强

申请人：

上海华虹NEC电子有限公司

申请人地址：

201206上海市浦东新区川桥路1188号

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：

丁纪铁

优先权：

CN200510111550.1

主分类号：

H01L27/092

IPC分类号：

H01L27/092 H01L27/082

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L27/00

由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件

H01L27/02

包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的

H01L27/04

其衬底为半导体的

H01L27/08

只包括有一种半导体组件的

H01L27/085

只包含场效应的组件

H01L27/088

有绝缘栅场效应晶体管的组件

H01L27/092

互补MIS场效应晶体管

法律状态

2014-01-08 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101685130809
IPC(主分类) : H01L 27/092
专利号 : ZL2005101115501
变更事项 : 专利权人
变更前 : 上海华虹NEC电子有限公司
变更后 : 上海华虹宏力半导体制造有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
变更后 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

2008-12-24 ：

授权

2007-08-15 ：

实质审查的生效

2007-06-20 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载