半导体器件
专利权的终止
摘要
在具有薄膜状有源层的一个场效应型器件中提供了一个薄膜状半导体器件，该器件包括在该有源层上的一个顶部侧栅极和连接到一稳定电位的一个底部侧栅极，底部侧栅极被提供在有源层和一基片之间。底部侧栅极可以电连接到场效应型器件的源极和漏极中的唯一一个极。本申请也公开了其制造方法。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1255750A
申请号 ：
CN99120596.0
公开（公告）日 ：
2000-06-07
申请日 ：
1993-06-09
授权号 ：
CN1155091C
授权日 ：
2004-06-23
发明人 ：
竹村保彦
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
李亚非
优先权 ：
CN99120596.0
主分类号 ：
H01L27/092
IPC分类号 ：
H01L27/092 H01L27/12 H01L29/786
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
H01L27/092
互补MIS场效应晶体管
法律状态
2013-07-17 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101490323216
IPC(主分类) : H01L 27/092
专利号 : ZL991205960
申请日 : 19930609
授权公告日 : 20040623
期满终止日期 : 20130609
号牌文件序号 : 101490323216
IPC(主分类) : H01L 27/092
专利号 : ZL991205960
申请日 : 19930609
授权公告日 : 20040623
期满终止日期 : 20130609
2004-06-23 ：
授权
2000-06-07 ：
公开
2000-05-10 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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