半导体装置

授权

摘要

一种半导体装置，其包含第一传导型的第一井、位于第一井的第一传导型的第一区、位于第一井的第二传导型的多个第二区、位于第一井的第二传导型的第三区与第一阻抗负载。其中，位于第一井的第一传导型的第一区耦接至第一参考电压端子。位于第一井的第二传导型的多个第二区中，多个第二区的一区耦接至第一参考电压端子，以及该多个第二区与第一井包含在一结构内其操作为第一晶体管。第一阻抗负载耦接在第三区与第二参考电压端子之间。

基本信息

专利标题：

半导体装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN108695322A

申请号：

CN201711249259.X

公开（公告）日：

2018-10-23

申请日：

2017-12-01

授权号：

CN108695322B

授权日：

2022-04-05

发明人：

黄乾燿

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司

代理人：

徐金国

优先权：

CN201711249259.X

主分类号：

H01L27/092

IPC分类号：

H01L27/092