半导体装置
公开
摘要
半导体装置具备：第1锁存电路(L1)，由第1翻转电路(i1)、第2翻转电路(i2)、第3翻转电路(i3)及第4翻转电路(i4)构成；第一型阱区域(Wp1、Wp2)；以及第二型阱区域(Wn1)；在平面视图中，漏极(p1)与漏极(p4)的距离比漏极(p1)与漏极(p3)的距离小。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114342259A
申请号 ：
CN202080062996.2
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-05-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
中西和幸
申请人 ：
新唐科技日本株式会社
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
吕文卓
优先权 ：
CN202080062996.2
主分类号 ：
H03K3/037
IPC分类号 ：
H03K3/037 H03K3/356 H01L21/8238 H01L27/092 H03K19/003
法律状态
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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