半导体装置和半导体基底

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摘要

本实用新型涉及一种半导体装置，并且涉及一种半导体基底。一种半导体装置具有基底。导电层形成在所述基底上方并且包括接地平面。所述导电层的第一接片从所述接地平面延伸并且延伸跨越所述基底的锯道不到一半距离。所述第一接片的形状可以包括椭圆形、三角形、平行四边形或矩形部分，或其任何组合。封装剂沉积在所述基底上方。所述封装剂和基底通过所述锯道被单分。电磁干扰(EMI)屏蔽层形成在所述封装剂上方。所述EMI屏蔽层接触所述导电层的所述第一接片。

基本信息

专利标题：

半导体装置和半导体基底

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921902032.5

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-11-06

授权号：

CN211404495U

授权日：

2020-09-01

发明人：

李勋择梁悳景李喜秀

申请人：

新科金朋私人有限公司

申请人地址：

新加坡新加坡市

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

任霄

优先权：

CN201921902032.5

主分类号：

H01L23/552

IPC分类号：

H01L23/552