在半导体基底的金属结构表面去除残余物的方法

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摘要

一种在半导体基底的金属结构体表面去除由聚合光致抗蚀剂与金属氧化物所构成的残余物(residue)的方法，包括下列步骤：(a)于含有氮气分子的环境下对具有该金属结构体的该半导体基底进行加热；(b)于含有氮气分子的环境下对该半导体基底进行一稳定化(stabilization)步骤；(c)利用一等离子体对该半导体基底进行一钝化(passivation)步骤，该等离子体包括水、氮气或氧气所组成的群组；以及(d)进行一包含氧气的剥离(stripping)步骤来移除该残余物。

基本信息

专利标题：

在半导体基底的金属结构表面去除残余物的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1797718A

申请号：

CN200510126830.X

公开（公告）日：

2006-07-05

申请日：

2005-11-22

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

哥浅·雷纳多巴赫曼·詹氏艾伏伦·狄尔克卡雷·屋伏林忠信林文斌多瑙鹄·李

申请人：

南亚科技股份有限公司

申请人地址：

中国台湾桃园县

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200510126830.X

主分类号：

H01L21/321

IPC分类号：

H01L21/321 H01L21/311

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/30

用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的

H01L21/31

在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择

H01L21/3205

非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理

H01L21/321

后处理

法律状态

2009-03-11 ：

授权

2006-08-30 ：

实质审查的生效

2006-07-05 ：

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移

变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 南亚科技股份有限公司
变更后权利人 : 南亚科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 中国台湾桃园县
变更后权利人 : 中国台湾桃园县
变更事项 : 共同申请人
变更前权利人 : 英飞凌科技公司
变更后权利人 : 无
登记生效日 : 20060421

2006-07-05 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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