一种表面增强拉曼散射基底
实质审查的生效
摘要

本发明涉及一种表面增强拉曼散射基底,所述表面增强拉曼散射基底包括衬底,设置于衬底一侧表面的墙阵列,以及设置于墙阵列表面的等离子体共振纳米结构层;所述墙阵列包括平面介质格栅,以及覆盖所述平面介质格栅与衬底表面的金属膜层。本发明通过在SERS基底设置墙阵列结构以及覆盖墙阵列结构的等离子体共振纳米结构层,使表面等离激元波对表面等离子体共振的激发最大化,从而得到具有高灵敏度以及高均一性的表面增强拉曼散射基底。

基本信息
专利标题 :
一种表面增强拉曼散射基底
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114264644A
申请号 :
CN202111640957.9
公开(公告)日 :
2022-04-01
申请日 :
2021-12-29
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
田毅褚卫国陈佩佩胡海峰
申请人 :
国家纳米科学中心
申请人地址 :
北京市海淀区中关村北一条11号
代理机构 :
北京品源专利代理有限公司
代理人 :
赵颖
优先权 :
CN202111640957.9
主分类号 :
G01N21/65
IPC分类号 :
G01N21/65  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段,即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/62
所测试的材料在其中被激发,因之引起材料发光或入射光的波长发生变化的系统
G01N21/63
光学激发的
G01N21/65
喇曼散射
法律状态
2022-04-19 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 21/65
申请日 : 20211229
2022-04-01 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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