半导体装置
公开
摘要
公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：栅极线，沿平行于半导体基底的上表面的第一方向延伸；第一有源区，包括设置在栅极线下方的第一沟道区并且包括第一导电类型杂质；第二有源区，被设置成在第一方向上与第一有源区分离，包括设置在栅极线下方的第二沟道区，并且包括第一导电类型杂质；以及多条金属布线，设置在半导体基底上方的第一高度水平处，其中，所述多条金属布线之中的至少一条金属布线直接电连接到第一有源区，在第一高度水平处没有金属布线电连接到第二有源区，并且所述多条金属布线之中的至少一条金属布线被连接以接收施加到栅极线的信号。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267675A
申请号 ：
CN202111025821.7
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-09-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金昶汎金成勳边大锡
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道水原市
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
尹淑梅
优先权 ：
CN202111025821.7
主分类号 ：
H01L27/092
IPC分类号 ：
H01L27/092
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
H01L27/092
互补MIS场效应晶体管
法律状态
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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