半导体装置
公开
摘要
公开了半导体装置。该半导体装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；第一有源图案，在第一区域上，并且包括一对第一源极/漏极图案和第一沟道图案，第一沟道图案包括第一半导体图案；第二有源图案，在第二区域上，并且包括一对第二源极/漏极图案和第二沟道图案，第二沟道图案包括第二半导体图案；支撑图案，在两个垂直相邻的第一半导体图案之间；以及第一栅电极和第二栅电极，在第一沟道图案和第二沟道图案上。第一沟道图案的沟道长度比第二沟道图案的沟道长度大。支撑图案的宽度与第一沟道图案的沟道长度的比率在0.05至0.2的范围内。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582865A
申请号 ：
CN202110912217.X
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2021-08-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朴鲁英裵东一朴范琎
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道水原市
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈晓博
优先权 ：
CN202110912217.X
主分类号 ：
H01L27/092
IPC分类号 ：
H01L27/092 H01L21/8238
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
H01L27/092
互补MIS场效应晶体管
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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