半导体装置
公开
摘要
提供了一种半导体装置。该半导体装置包括：衬底，其包括第一虚设区域和与第一虚设区域间隔开的第二虚设区域；器件隔离层，其填充第一虚设区域与第二虚设区域之间的沟槽；第一虚设电极，其设置在第一虚设区域上；第二虚设电极，其设置在第二虚设区域上；电力线，其从第一虚设区域延伸到第二虚设区域，电力线包括设置在器件隔离层上的扩展部分，扩展部分的宽度大于电力线的剩余部分的线宽；电力输送网络，其设置在衬底的底表面上；以及通孔，其延伸穿过衬底和器件隔离层，并且将电力输送网络电连接到扩展部分。通孔和扩展部分竖直重叠。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373751A
申请号 ：
CN202111199156.3
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-10-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
都桢湖白尚训
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵南
优先权 ：
CN202111199156.3
主分类号 ：
H01L27/092
IPC分类号 ：
H01L27/092
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
H01L27/092
互补MIS场效应晶体管
法律状态
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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