半导体装置
公开
摘要
本发明实施例提出一种半导体装置。半导体装置包括半导体基板、源极结构与漏极结构、半导体层堆叠、栅极部分以及内侧间隔物。源极结构与漏极结构位于半导体基板上；半导体层堆叠夹设于源极结构与漏极结构之间；栅极结构位于半导体层堆叠的两个垂直相邻的层状物之间，并位于源极结构与漏极结构之间。此外，栅极部分具有相对的第一侧壁表面与第二侧壁表面。内侧间隔物位于第一侧壁表面上并位于栅极部分与漏极结构之间。第二侧壁表面直接接触源极结构。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497037A
申请号 ：
CN202110789469.8
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-07-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
锺政庭黄禹轩廖翊博蔡庆威程冠伦
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
任芸芸
优先权 ：
CN202110789469.8
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088 H01L27/092 H01L21/8234 H01L21/8238
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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