半导体装置
公开
摘要
半导体装置，包括多个第一堆叠结构形成于基板的第一区中，其中第一堆叠结构设置以形成在第一电压等级下操作的多个第一晶体管。半导体装置包括多个第二堆叠结构形成于基板的第二区中，其中第二堆叠设置以形成在第二电压等级下操作的多个第二晶体管，且第二电压等级大于第一电压等级。半导体装置包括第一隔离结构位于相邻的第一堆叠结构之间并具有第一高度。半导体装置包括第二隔离结构位于相邻的第二堆叠结构之间并具有第二高度。第一高度大于第二高度。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530416A
申请号 ：
CN202210021422.1
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-01-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林士尧李筱雯郑宇珊张铭庆
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄艳
优先权 ：
CN202210021422.1
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234 H01L27/088
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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