半导体装置
公开
摘要
本公开的半导体装置包括第一通道构件的堆叠、直接设置在第一通道构件的堆叠上方的第二通道构件的堆叠、与前述第一通道构件的堆叠接触的一底部源极/漏极部件、设置在底部源极/漏极部件上方的一分隔层(separation layer)、与第二通道构件的堆叠接触并设置在分隔层上方的一顶部源极/漏极部件、以及延伸穿过顶部源极/漏极部件和分隔层而电性耦接至底部源极/漏极部件的一前侧接触件。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512442A
申请号 ：
CN202210001471.9
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2022-01-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林志昌陈仕承张荣宏姚茜甯江国诚王志豪
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄艳
优先权 ：
CN202210001471.9
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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