半导体装置
授权
摘要
半导体装置(1)具有在平面视中在矩形状的半导体层(40)的第一区域(A1)中形成的晶体管(10)和在第二区域(A2)中形成的晶体管(20)，在半导体层(40)的表面具有第一源极焊盘(111)、第一栅极焊盘(119)、第二源极焊盘(121)以及第二栅极焊盘(129)，在平面视中，晶体管(10)和晶体管(20)在第一方向上排列，第一栅极焊盘(119)配置为，在与半导体层(40)的第一方向的一方的长边或另一方的长边之间、以及与第一区域(A1)和第二区域(A2)的边界之间，完全没有夹着第一源极焊盘(111)，第二栅极焊盘(129)配置为，在与一方的长边或另一方的长边之间、以及与边界之间，完全没有夹着第二源极焊盘(121)。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113314527A
申请号 ：
CN202110538170.5
公开（公告）日 ：
2021-08-27
申请日 ：
2019-12-11
授权号 ：
CN113314527B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
大河亮介今井俊和吉田一磨井上翼今村武司
申请人 ：
新唐科技日本株式会社
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
吕文卓
优先权 ：
CN202110538170.5
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088 H01L29/78 H01L21/8234 H01L23/538 H01L23/488
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2021-12-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/088
申请日 : 20191211
申请日 : 20191211
2021-08-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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