半导体装置
专利权的终止
摘要
一种半导体装置，使接受信号的电路侧的ESD抗性进一步提高。反相器电路(INV1)为了电源供给而与接地布线(GND1)连接，通过PMOS晶体管(MP5)而与电源布线(VDD1)连接。反相器电路(INV2)为了电源供给而与接地布线(GND2)和电源布线(VDD2)连接，输入节点与反相器电路(INV1)的输出节点连接。还有，接地布线(GND1)和接地布线(GND2)通过保护元件(PE0)而连接。在正常动作时，反相器电路(INV3)的输出为H电平，反相器电路(INV4)的输出为L电平，PMOS晶体管(MP5)导通。在施加ESD时，电源布线(VDD2)悬浮，反相器电路(INV4)的输出为H电平，PMOS晶体管(MP5)截止，与施加ESD伴随的电流不会流入反相器电路(INV2)中。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1783491A
申请号 ：
CN200510127225.4
公开（公告）日 ：
2006-06-07
申请日 ：
2005-11-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
入野仁
申请人 ：
恩益禧电子股份有限公司
申请人地址 ：
日本神奈川
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
陆锦华
优先权 ：
CN200510127225.4
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L27/088 H01L23/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2015-01-07 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101594993324
IPC(主分类) : H03K 19/003
专利号 : ZL2005101272254
申请日 : 20051125
授权公告日 : 20081231
终止日期 : 20131125
号牌文件序号 : 101594993324
IPC(主分类) : H03K 19/003
专利号 : ZL2005101272254
申请日 : 20051125
授权公告日 : 20081231
终止日期 : 20131125
2010-12-29 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101057683694
IPC(主分类) : H03K 19/003
专利号 : ZL2005101272254
变更事项 : 专利权人
变更前 : 恩益禧电子股份有限公司
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川
变更后 : 日本神奈川
号牌文件序号 : 101057683694
IPC(主分类) : H03K 19/003
专利号 : ZL2005101272254
变更事项 : 专利权人
变更前 : 恩益禧电子股份有限公司
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川
变更后 : 日本神奈川
2008-12-31 ：
授权
2006-08-02 ：
实质审查的生效
2006-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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