半导体装置
公开
摘要
一种半导体装置包括：标准单元，其位于与衬底的上表面平行的第一方向和与第一方向相交的第二方向上；和填充物单元，其位于标准单元中的标准单元之间。标准单元中的每一个包括有源区、与有源区相交的栅极结构、在有源区上位于栅极结构的两侧的源极/漏极区、以及互连线。填充物单元中的每一个包括填充物有源区和与填充物有源区相交的填充物栅极结构。标准单元包括在第二方向上分别顺序地位于第一行、第二行和第三行中的第一标准单元、第二标准单元和第三标准单元。第一互连线以第一间距布置，第二互连线以第二间距布置，并且第三互连线以与第一间距和第二间距不同的第三间距布置。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446945A
申请号 ：
CN202111255028.6
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-10-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曹多演金亨沃朴尚度
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵南
优先权 ：
CN202111255028.6
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L27/118
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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