半导体装置
授权
摘要
本实用新型公开了半导体装置。MOSFET和二极管设置在同一半导体层上，半导体层具有第一面和第二面。MOSFET包括第一区和第二区，第一区包括第一阱区、第一源区、和第一栅区，第二区包括第二阱区、第二源区、和第二栅区。二极管设置在第一区和第二区之间，二极管包括第一肖特基区和第二肖特基区。第一肖特基区靠近第一区设置，第二肖特基区靠近第二区设置。半导体装置还包括电场调制区，电场调制区设置在第一肖特基区与第二肖特基区之间。调制掺杂区包括第一调制掺杂区和第二调制掺杂区。根据本实用新型的半导体装置具有更好的电流能力、电压能力、可靠性以及更高的芯片集成度。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921241097.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-30
授权号 ：
CN210296382U
授权日 ：
2020-04-10
发明人 ：
郑亚良李浩南陈伟钿周永昌黎沛涛
申请人 ：
创能动力科技有限公司
申请人地址 ：
中国香港新界大埔白石角香港科学园3期12W座6楼611室
代理机构 ：
深圳市六加知识产权代理有限公司
代理人 ：
宋建平
优先权 ：
CN201921241097.X
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78 H01L27/02
法律状态
2020-04-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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