半导体装置与制作半导体装置的方法
授权
摘要
披露的是半导体装置与制作半导体装置、即制作具有控制芯片内变异的半导体装置的方法。在一实施例中，制作半导体装置的方法包括：沉积第一介电层于半导体基板芯片上；图案化第一介电层上的导电层，以产生至少一装置区与至少一虚置图案区，其中至少一装置区包括多个第一导电图案，且至少一虚置图案区包括多个第二导电图案，以控制芯片内变异。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置与制作半导体装置的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110534420A
申请号 ：
CN201910085467.3
公开（公告）日 ：
2019-12-03
申请日 ：
2019-01-29
授权号 ：
CN110534420B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
洪政雄汪柏澍
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄艳
优先权 ：
CN201910085467.3
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L29/423 H01L23/58 H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2019-12-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/28
申请日 : 20190129
申请日 : 20190129
2019-12-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
