半导体结构及其制作方法

实质审查的生效

摘要

本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：基底，所述基底内具有凹槽；第一膜层，所述第一膜层覆盖所述凹槽底面和侧壁；第二膜层，所述第二膜层覆盖所述第一膜层表面，所述第二膜层的阶梯覆盖率不同于所述第一膜层的阶梯覆盖率。本发明实施例有利于获取具有预设阶梯覆盖率的多层结构。

基本信息

专利标题：

半导体结构及其制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114497199A

申请号：

CN202011149559.2

公开（公告）日：

2022-05-13

申请日：

2020-10-23

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

李涛

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

代理机构：

上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

成丽杰

优先权：

CN202011149559.2

主分类号：

H01L29/423

IPC分类号：

H01L29/423 H01L29/49 H01L29/51 H01L21/28 H01L21/285

法律状态

2022-05-31 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 29/423
申请日 : 20201023

2022-05-13 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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