半导体结构的制作方法
实质审查的生效
摘要
本公开提供一种半导体结构的制作方法，所述半导体结构的制作方法包括：提供基底，所述基底上包括第一介质层；采用持续模式的氮化工艺，对所述第一介质层进行第一次氮化处理，以形成第一掺杂层；采用断续模式的氮化工艺，对所述第一掺杂层进行第二次氮化处理，以形成第二掺杂层；其中，所述第一次氮化处理的掺杂深度大于所述第二次氮化处理的掺杂深度，且所述第二掺杂层顶部的掺杂浓度大于所述第二掺杂层底部的掺杂浓度。在本公开中，将持续模式的氮化工艺和断续模式的氮化工艺相结合，能够同时控制掺杂层中氮元素的掺杂深度和氮浓度分布，从而提高半导体结构的介电常数和稳定性。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361020A
申请号 ：
CN202210030210.X
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2022-01-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李伟闫冬王梓杰汪逸航
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京名华博信知识产权代理有限公司
代理人 ：
韩闪闪
优先权 ：
CN202210030210.X
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/28
申请日 : 20220112
申请日 : 20220112
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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