制作半导体元件的方法
授权
摘要
制作半导体元件的方法包含以下操作：提供一基材；形成图案化遮罩层于基材上，图案化遮罩层具有第一开口，第一开口暴露出基材的一部分；移除暴露的基材部分，以在基材中形成凹槽，凹槽具有底部和侧壁；经由第一开口在凹槽的底部和侧壁掺杂第一n型掺杂剂，以形成空穴阻隔层包围凹槽的底部和侧壁；以及形成p型磊晶层于凹槽中。本揭露提供的半导体元件的制作方法，可以简化制程，提高生产效率以及合格率。
基本信息
专利标题 ：
制作半导体元件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109841515A
申请号 ：
CN201711190564.6
公开（公告）日 ：
2019-06-04
申请日 ：
2017-11-24
授权号 ：
CN109841515B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
唐松年陈和泰许修文
申请人 ：
帅群微电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹县新北市嘉丰11路一段100号9楼之一
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN201711190564.6
主分类号 ：
H01L21/331
IPC分类号 ：
H01L21/331 H01L29/739
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/328
制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
H01L21/33
包括3个或更多电极的器件
H01L21/331
晶体管
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2019-06-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/331
申请日 : 20171124
申请日 : 20171124
2019-06-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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