半导体装置与制作半导体装置的方法
公开
摘要
一种半导体装置与制作半导体装置的方法，半导体装置包含第一漏极/源极结构、第二漏极/源极结构、第三漏极/源极结构、第一位元线、共同选择线、第二位元线与电荷储存层。第一漏极/源极结构往第一方向延伸。第二漏极/源极结构往第一方向延伸，并在垂直于第一方向的第二方向与第一漏极/源极结构间隔开。第三漏极/源极结构往第一方向延伸，并在第二方向与第二漏极/源极结构间隔开。电荷储存层耦合至每个第一漏极/源极结构、第二漏极/源极结构与第三漏极/源极结构中的至少一第一侧壁。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置与制作半导体装置的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628402A
申请号 ：
CN202110652160.4
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-06-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林孟汉黄家恩刘逸青
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN202110652160.4
主分类号 ：
H01L27/11587
IPC分类号 ：
H01L27/11587 H01L27/1159 H01L27/11597
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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