半导体装置和制作半导体装置的方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种半导体装置和其制作方法。所述装置包括基板，所述基板包括位于GaN层上的AlGaN层，用于在所述AlGaN层与所述GaN层之间的界面处形成二维电子气体。所述装置还包括位于所述基板的主表面上的多个电接点。所述装置另外包括位于所述基板的所述主表面上的多个钝化层。所述多个钝化层包括接触所述主表面的第一区域的第一钝化材料的第一钝化层和接触所述主表面的第二区域的第二钝化材料的第二钝化层。所述第一和第二钝化材料为不同钝化材料。所述不同钝化材料可为包括不同比例的硅的氮化硅的组合物。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置和制作半导体装置的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530500A
申请号 ：
CN202210166947.4
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2016-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
约翰内斯·J·T·M·唐克尔雷德弗里德勒·阿德里安斯·玛利亚·胡尔克斯杰伦·安东·克龙马克·安杰伊·加赫达简·雄斯基
申请人 ：
安世有限公司
申请人地址 ：
荷兰奈梅亨
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
麦善勇
优先权 ：
CN202210166947.4
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L21/335 H01L21/56 H01L23/31 H01L29/06
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/778
申请日 : 20161208
申请日 : 20161208
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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