半导体装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体装置，半导体装置包括基底，有源结构，以及浅沟渠隔离。有源结构设置于基底内，并且包括多个第一有源区以及一第二有源区，第二有源区设置在多个第一有源区外侧。第二有源区还包括多个边角，各该边角的角度大于90度。浅沟渠隔离设置于基底内并环绕有源结构。本实用新型的半导体装置因设有强化的边角结构，藉此，可改善半导体装置周围的应力，避免半导体结构的倒塌或毁损。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021871081.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-31
授权号 ：
CN213026133U
授权日 ：
2021-04-20
发明人 ：
詹益旺童宇诚林刚毅李甫哲刘安淇郭明峰蔡建成
申请人 ：
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
霍文娟
优先权 ：
CN202021871081.X
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L27/02 H01L21/762
法律状态
2021-04-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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