半导体装置
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种包含多个半导体元件，且适合小型化的半导体装置。在基板的一个面上在一个方向上排列配置多个晶体管，各晶体管相互并联连接。多个晶体管分别包含从基板侧开始依次层叠的集电极层、基极层以及发射极层。在多个晶体管中相互相邻的两个晶体管之间的区域中的至少一个区域分别配置有无源元件。在多个晶体管中的每个晶体管的集电极层与基板之间配置有与集电极层电连接的集电极电极。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520224A
申请号 ：
CN202111273521.0
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2021-10-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高桥新之助青池将之筒井孝幸小屋茂树
申请人 ：
株式会社村田制作所
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭忠健
优先权 ：
CN202111273521.0
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L27/06 H01L29/737 H01L23/367
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20211029
申请日 : 20211029
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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