半导体装置
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
提供一种半导体装置，具有即使使用低介电常数绝缘膜作为多层布线的层间绝缘膜，也可以减小布线和低介电常数绝缘膜的边界部分的应力集中，可以抑制绝缘膜的剥离，并且还提高散热能力的布线结构，具有在半导体基板的上方形成的绝缘膜，在上述绝缘膜内形成的布线和在上述低介电常数绝缘膜内与上述布线分开形成的网状虚拟结构体。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790701A
申请号 ：
CN200510119433.X
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-11-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
臼井孝公柴田英毅室伏正神保雅一平山浩
申请人 ：
株式会社东芝
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
岳耀锋
优先权 ：
CN200510119433.X
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2008-09-03 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-08-16 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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