半导体装置
专利权的终止
摘要
一种半导体装置，用氟化碳(CFx、0.3＜x＜0.6)或碳氢化合物(CHy、0.8＜y＜1.2)形成栅绝缘膜(硅氧化膜)以外的元件分离领域、层间绝缘膜以及保护绝缘膜的至少一部分。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101107715A
申请号 ：
CN200680002450.8
公开（公告）日 ：
2008-01-16
申请日 ：
2006-01-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
大见忠弘寺本章伸
申请人 ：
国立大学法人东北大学
申请人地址 ：
日本国宫城县
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李贵亮
优先权 ：
CN200680002450.8
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336 H01L21/76 H01L21/768 H01L23/522
法律状态
2015-03-18 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101601599427
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2006800024508
申请日 : 20060117
授权公告日 : 20091014
终止日期 : 20140117
号牌文件序号 : 101601599427
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2006800024508
申请日 : 20060117
授权公告日 : 20091014
终止日期 : 20140117
2009-10-14 ：
授权
2008-03-05 ：
实质审查的生效
2008-01-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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