半导体装置、电子装置及半导体装置的制造方法
专利权的终止
摘要
具有结节的导电层邻接地形成为其间具有均匀的距离。排放导电层的微滴以在配线的长度方向上交错微滴的中心，使得排放微滴的中心在相邻导电层之间的线宽方向上不在同一线上。由于交错了微滴中心，所以各自具有最宽线宽(结节的最宽宽度)的导电层部分彼此不连接，且导电层邻接地形成为其间具有更短的距离。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置、电子装置及半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828931A
申请号 ：
CN200610006625.4
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2006-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
伊佐敏行藤井厳森末将文
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
李玲
优先权 ：
CN200610006625.4
主分类号 ：
H01L29/40
IPC分类号 ：
H01L29/40 H01L29/78 H01L23/522 H01L21/288 H01L21/768 H01L21/336
法律状态
2019-01-11 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 29/40
申请日 : 20060126
授权公告日 : 20091202
终止日期 : 20180126
申请日 : 20060126
授权公告日 : 20091202
终止日期 : 20180126
2009-12-02 ：
授权
2008-01-09 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
