半导体装置、电子器具以及制造半导体装置的方法
专利权的终止
摘要
本发明的目的在于提供提高材料的使用效率且简化制造步骤的半导体装置、显示装置以及其制造技术。此外，另一个目的在于提供将构成这些半导体装置、显示装置的布线等的图形以高控制性形成为所希望的形状的技术。在喷射由包含导电性材料的组合物构成的多个液滴的第一喷射步骤中，将第一液滴喷射为其中心位置位于第一线上，在喷射多个液滴的第二喷射步骤中，将第二液滴向第一液滴之间喷射并使其中心位置位于平行于第一线的第二线上，来形成具有连续波状形状的侧端部分的导电层。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置、电子器具以及制造半导体装置的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828932A
申请号 ：
CN200610006916.3
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2006-01-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
伊佐敏行森末将文川俣郁子
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
李玲
优先权 ：
CN200610006916.3
主分类号 ：
H01L29/40
IPC分类号 ：
H01L29/40 H01L23/522 H01L21/288 H01L21/768
法律状态
2019-01-08 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 29/40
申请日 : 20060123
授权公告日 : 20091202
终止日期 : 20180123
申请日 : 20060123
授权公告日 : 20091202
终止日期 : 20180123
2009-12-02 ：
授权
2008-01-23 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
