半导体装置、电子器具以及制造半导体装置的方法
授权
摘要
本发明涉及半导体装置、电子器具以及制造半导体装置的方法,其目的在于提供提高材料的使用效率且简化制造步骤的半导体装置、显示装置以及其制造技术。此外,另一个目的在于提供将构成这些半导体装置、显示装置的布线等的图形以高控制性形成为所希望的形状的技术。在喷射由包含导电性材料的组合物构成的多个液滴的第一喷射步骤中,将第一液滴喷射为其中心位置位于第一线上,在喷射多个液滴的第二喷射步骤中,将第二液滴向第一液滴之间喷射并使其中心位置位于平行于第一线的第二线上,来形成具有连续波状形状的侧端部分的导电层。
基本信息
专利标题 :
半导体装置、电子器具以及制造半导体装置的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101677111A
申请号 :
CN200910205017.X
公开(公告)日 :
2010-03-24
申请日 :
2006-01-23
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
伊佐敏行森末将文川俣郁子
申请人 :
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 :
日本神奈川县
代理机构 :
上海专利商标事务所有限公司
代理人 :
李 玲
优先权 :
CN200910205017.X
主分类号 :
H01L29/786
IPC分类号 :
H01L29/786 H01L27/088 H01L27/04 H01L21/77 G02F1/1368 G09F9/33
法律状态
2013-06-19 :
授权
2010-05-05 :
实质审查的生效
号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101001463026
IPC(主分类) : H01L 29/786
专利申请号 : 200910205017X
申请日 : 20060123
号牌文件序号 : 101001463026
IPC(主分类) : H01L 29/786
专利申请号 : 200910205017X
申请日 : 20060123
2010-03-24 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载