半导体器件及其制造方法、线路板及其制造方法、半导体封装件...
专利权的终止
摘要

端子焊盘被形成在LSI芯片的有效面上,并且复合阻挡金属层被提供在该端子焊盘上。由硅树脂构成的多个低弹性颗粒分散在由NiP构成的金属基相中。复合阻挡金属层的膜厚度例如为3μm,并且低弹性颗粒的直径例如为1μm。通过将焊块键合到复合阻挡金属层,半导体器件被安装在线路板上。从而,低弹性颗粒被允许当半导体器件经由焊块键合到线路板时,根据所施加的应力而变形,因此应力可以被吸收。

基本信息
专利标题 :
半导体器件及其制造方法、线路板及其制造方法、半导体封装件和电子装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101076884A
申请号 :
CN200580040367.5
公开(公告)日 :
2007-11-21
申请日 :
2005-11-25
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
曾川祯道山崎隆雄高桥信明
申请人 :
日本电气株式会社;恩益禧电子股份有限公司
申请人地址 :
日本东京都
代理机构 :
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 :
李晓冬
优先权 :
CN200580040367.5
主分类号 :
H01L21/60
IPC分类号 :
H01L21/60  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接,用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2016-01-20 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101643313883
IPC(主分类) : H01L 21/60
专利号 : ZL2005800403675
申请日 : 20051125
授权公告日 : 20090311
终止日期 : 20141125
2010-11-24 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101041196585
IPC(主分类) : H01L 21/60
专利号 : ZL2005800403675
变更事项 : 专利权人
变更前 : 日本电气株式会社
变更后 : 日本电气株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京都
变更后 : 日本东京都
变更事项 : 共同专利权人
变更前 : 恩益禧电子股份有限公司
变更后 : 瑞萨电子株式会社
2009-03-11 :
授权
2008-01-16 :
实质审查的生效
2007-11-21 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN101076884A.PDF
PDF下载
2、
CN100468674C.PDF
PDF下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332