半导体装置
公开
摘要
半导体装置包括：芯片；电极，其形成在上述芯片上；无机绝缘层，其包覆上述电极，且具有使上述电极露出的第一开口；有机绝缘层，其包覆上述无机绝缘层，且具有从上述第一开口空出间隔地包围上述第一开口的第二开口，在上述第一开口以及上述第二开口之间的区域使上述无机绝缘层的内周缘露出；以及Ni镀层，其在上述第一开口内包覆上述电极，且在上述第二开口内包覆上述无机绝缘层的上述内周缘。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114430861A
申请号 ：
CN202080066090.8
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2020-09-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
山中贵晶中野佑纪山本兼司
申请人 ：
罗姆股份有限公司
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
曾贤伟
优先权 ：
CN202080066090.8
主分类号 ：
H01L25/07
IPC分类号 ：
H01L25/07 H01L25/18 H01L29/739 H01L29/78 H01L29/872 H01L23/29 H01L23/522 H01L23/532 H01L29/16
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/07
包含在H01L29/00组类型的器件
法律状态
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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