半导体装置
授权
摘要
提供一种半导体装置，其具备在主面部具有贯通孔的端子部和设置有使端子部的主面部露出的开口的壳体部，开口具有与端子部的主面部的角对应的角部，壳体部在开口的周围具有厚壁部，所述厚壁部在构成角部的两个边上树脂厚度与相邻的角部之间的中央部相比变厚。进一步地，在壳体部也可以形成有从角部向外侧延伸的切口部。切口部的从壳体部的上表面方向观察到的外形的至少一部分可以以曲线形成。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109417068A
申请号 ：
CN201780039411.3
公开（公告）日 ：
2019-03-01
申请日 ：
2017-12-08
授权号 ：
CN109417068B
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
小平悦宏
申请人 ：
富士电机株式会社
申请人地址 ：
日本神奈川县川崎市
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
包跃华
优先权 ：
CN201780039411.3
主分类号 ：
H01L25/07
IPC分类号 ：
H01L25/07 H01L25/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/07
包含在H01L29/00组类型的器件
法律状态
2022-05-06 ：
授权
2019-03-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 25/07
申请日 : 20171208
申请日 : 20171208
2019-03-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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