半导体装置
授权
摘要
存在绝缘的可靠性变低这样的技术问题。从导体层(334)的中心(P)至绝缘构件(333)的边缘部为止的长度(L2)形成得比从导体层(334)的中心(P)至基座构件(307)的突出部(307a)的边缘部为止的长度(L1)长。换言之，突出部(307a)的边缘部的基座端面(308)位于比绝缘构件(333)的边缘部的绝缘构件端面(336)更靠内部侧的位置。进一步地，绝缘构件(333)的绝缘构件端面(336)与导体层的导体层端面(344)在相同位置处形成端面。这样一来，突出部(307a)的边缘部的基座端面(308)位于比绝缘构件(333)的边缘部的绝缘构件端面(336)更靠内部侧的位置，从而能够确保绝缘距离。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109005669A
申请号 ：
CN201780020105.5
公开（公告）日 ：
2018-12-14
申请日 ：
2017-01-23
授权号 ：
CN109005669B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
德山健松下晃诹访时人
申请人 ：
日立汽车系统株式会社
申请人地址 ：
日本茨城县
代理机构 ：
上海华诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
肖华
优先权 ：
CN201780020105.5
主分类号 ：
H01L25/07
IPC分类号 ：
H01L25/07 H01L25/18 H02M7/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/07
包含在H01L29/00组类型的器件
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2021-09-14 ：
著录事项变更
IPC(主分类) : H01L 25/07
变更事项 : 申请人
变更前 : 日立汽车系统株式会社
变更后 : 日立安斯泰莫株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本茨城县
变更后 : 日本茨城县
变更事项 : 申请人
变更前 : 日立汽车系统株式会社
变更后 : 日立安斯泰莫株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本茨城县
变更后 : 日本茨城县
2019-01-08 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 25/07
申请日 : 20170123
申请日 : 20170123
2018-12-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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