半导体装置
授权
摘要
提供了一种半导体装置，通过对黏合材料的飘移控制以固定半导体芯片来提高所述半导体装置的工艺能力和可靠性。半导体装置包括：第一半导体芯片，包括彼此相对的第一表面和第二表面；飘移控制结构，形成在第一半导体芯片的第一表面处；以及第二半导体芯片，安装在第一半导体芯片的第一表面上。第二半导体芯片与飘移控制结构的至少一部分叠置。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN106847795A
申请号 ：
CN201611040818.1
公开（公告）日 ：
2017-06-13
申请日 ：
2016-11-11
授权号 ：
CN106847795B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
郭柄铢闵台洪李仁荣赵泰济
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道水原市
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘灿强
优先权 ：
CN201611040818.1
主分类号 ：
H01L25/07
IPC分类号 ：
H01L25/07
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/07
包含在H01L29/00组类型的器件
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2018-11-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 25/07
申请日 : 20161111
申请日 : 20161111
2017-06-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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