半导体装置
公开
摘要
提供提高了恢复动作时的破坏耐量的半导体装置。本发明涉及的半导体装置(100)所具有的绝缘栅型双极晶体管区域(1)在沿半导体基板的第1主面的第1方向上与二极管区域(2)并列地配置，具有：第2导电型的基极层(9)，设置于半导体基板的第1主面侧的表层；第1导电型的发射极层(8)，选择性地设置于基极层(9)的第1主面侧的表层，杂质浓度比漂移层高；栅极电极(7a)，在第1方向上并列配置有多个，隔着栅极绝缘膜(6a)而面向发射极层、基极层和漂移层；反掺杂层(10)，设置于基极层的表层，第2导电型的杂质浓度比基极层高且第1导电型的杂质浓度比漂移层高；以及第2导电型的集电极层，设置于半导体基板的第2主面侧的表层。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566537A
申请号 ：
CN202111403636.7
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2021-11-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
中谷贵洋新田哲也西康一
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
何立波
优先权 ：
CN202111403636.7
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/739 H01L29/861 H01L25/07
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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