半导体装置

专利权的终止

摘要

本发明提供能够防止栅电极下面的绝缘膜因受安装时压力的影响而发生断裂的半导体装置及其制造方法、半导体装置的设计方法。该半导体装置包括：设于硅衬底(1)上的晶体管；设于硅衬底(1)上，以覆盖该晶体管的层间绝缘膜(21)；隔着A1焊盘(31)设于层间绝缘膜(21)上的凸点电极(41)，在凸点电极(41)下方区域的硅衬底(1)上，作为晶体管只设有栅电极(11)的周边部下面的氧化硅膜比该栅电极(11)的中央部下面的氧化硅膜厚的MOS晶体管(10)，而在除该区域之外的硅衬底(1)上，作为晶体管只设有从栅电极的中央部下面到其周边部下面的氧化硅膜的厚度相同的MOS晶体管(70)。

基本信息

专利标题：

半导体装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1828940A

申请号：

CN200610008331.5

公开（公告）日：

2006-09-06

申请日：

2006-02-17

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

相沢广树

申请人：

精工爱普生株式会社

申请人地址：

日本东京

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人：

余刚

优先权：

CN200610008331.5

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L27/088