半导体装置
公开
摘要
本公开提供了能够改善元件的性能和可靠性的半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；第一硅锗膜，共形地形成在第一区域的基底内部并且限定第一栅极沟槽；第一栅极绝缘膜，在第一硅锗膜上沿着第一栅极沟槽的轮廓延伸并且与第一硅锗膜接触；第一金属栅电极，位于第一栅极绝缘膜上；源/漏区，形成在基底内部并且设置在第一金属栅电极的两侧上；第二栅极绝缘膜，设置在第二区域中；以及第二金属栅电极，位于第二栅极绝缘膜上。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361158A
申请号 ：
CN202111090188.X
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-09-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
安皓均赵秀敏
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道水原市
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
尹淑梅
优先权 ：
CN202111090188.X
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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