半导体装置
公开
摘要
一种半导体装置包括栅极堆叠体，该栅极堆叠体包括栅极绝缘层和在栅极绝缘层上的栅电极。栅极绝缘层包括第一介电层和在第一介电层上的第二介电层，第二介电层的介电常数大于第一介电层的介电常数。该半导体装置还包括在栅极堆叠体的侧表面上的第一间隔件，以及在第一间隔件上的第二间隔件，其中第二间隔件包括从低于第一间隔件的下表面的水平朝向第一介电层延伸的突出部分，并且第二间隔件的介电常数大于第一介电层的介电常数并且小于第一间隔件的介电常数。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628327A
申请号 ：
CN202111466399.9
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-12-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
白头山金桐䎸吉奎炫韩正勋
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵南
优先权 ：
CN202111466399.9
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
