半导体装置
公开
摘要
提供了一种半导体装置。半导体装置包括：有源图案，其包括下图案和多个片状图案，多个片状图案在第一方向上与下图案间隔开；源极/漏极图案，其位于下图案上，并且接触多个片状图案；以及栅极结构，其位于源极/漏极图案在与第一方向不同的第二方向上的相对侧上，栅极结构包括多个片状图案上的栅电极，其中，源极/漏极图案具有包括半导体材料的外延区和在外延区内并且由半导体材料包围的空腔区。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628383A
申请号 ：
CN202111464731.8
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-12-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑秀珍金奇奂张星旭曹荣大
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵南
优先权 ：
CN202111464731.8
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088 H01L21/8234
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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