半导体装置

授权

摘要

本发明提供半导体装置，具备：半导体基板，其具有第一导电型的漂移区；第一沟槽部，其从半导体基板的上表面设置到半导体基板的内部；第二导电型的基区，其以与第一沟槽部邻接的方式设置在半导体基板的上表面与漂移区之间；第一导电型的第一蓄积区，其设置在基区与漂移区之间，且掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高；第一导电型的第二蓄积区，其设置在比第一蓄积区深的位置，且掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高；以及第二导电型的中间区域，其设置在第一蓄积区与第二蓄积区之间，第二蓄积区具有第一开口部，所述第一开口部设置在比第一蓄积区深的位置。

基本信息

专利标题：

半导体装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109891595A

申请号：

CN201780066112.9

公开（公告）日：

2019-06-14

申请日：

2017-10-26

授权号：

CN109891595B

授权日：

2022-05-24

发明人：

内藤达也

申请人：

富士电机株式会社

申请人地址：

日本神奈川县川崎市

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司

代理人：

张欣

优先权：

CN201780066112.9

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/861 H01L29/868 H01L21/8234 H01L27/06 H01L29/739

法律状态

2022-05-24 ：

授权

2019-07-09 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20171026

2019-06-14 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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