半导体器件
公开
摘要
一种半导体器件包括衬底、形成在衬底中的N阱区、具有形成在N阱区中的有源区的第一P沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管、以及具有形成在衬底中的有源区的第一N沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管。第一NMOS晶体管包括第一N型有源区，当从平行于衬底的顶表面的平面上方观察时，该第一N型有源区与衬底和N阱区中的每个重叠。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582866A
申请号 ：
CN202111437577.5
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2021-11-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金雅廪金成勋边大锡
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
程丹辰
优先权 ：
CN202111437577.5
主分类号 ：
H01L27/092
IPC分类号 ：
H01L27/092 H01L21/8238
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
H01L27/092
互补MIS场效应晶体管
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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