一种用于制造设计规则小于0.13微米的集成电路器件的方法，包括提供衬底以及在衬底上形成氧化物垫层。该方法包括在氧化物垫层上形成氮化物层以及对氮化物层和氧化物垫层图案化。使用图案化的氮化物层和氧化物垫层作为硬掩模在衬底内形成沟槽结构。该方法通过至少使用对沟槽结构的暴露区域的热氧化而在沟槽结构内形成第一厚度的制衬氧化物来覆盖沟槽结构。这种热氧化在沟槽结构的拐角附近形成圆形区域。该方法选择性去除沟槽结构内的制衬氧化物。该方法通过至少使用热氧化在沟槽结构内形成第二厚度的制衬氧化物。热氧化使沟槽结构的拐角附近的圆形区域进一步圆化。该方法还选择性去除氮化物层，同时第二厚度的制衬氧化物保护沟槽区域中的衬底。