本发明涉及一种用于改善浅沟槽隔离表面毛刺的方法，该方法具体是在第一隔离结构上刻蚀出浅沟槽，剥离第一隔离结构的一部分形成第二隔离结构。该方法还包括氧化所述第二隔离结构，以用于在所述第二隔离结构上形成氧化层。剥离所述氧化层。本发明方法中由于硅毛刺暴露的表面积相比于浅沟槽的平坦区域大，因此采用臭氧可以实现在硅毛刺表面快速接触并且更快速的形成氧化层，利用氢氟酸溶液对上述氧化层去除，进而达到改善硅毛刺的效果。由于硅片的顶部为氮化硅层，因此不易受到臭氧及氢氟酸的影响，其有效避免了浅沟槽内硅毛刺断裂后掉落污染酸槽，进一步避免对后续的工艺造成影响。