改善沟槽产品栅极填充的方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种改善沟槽产品栅极填充的方法，提供衬底，衬底覆盖有硬质掩膜层；刻蚀硬质掩膜层和衬底，在硬质掩膜层形成第二直沟槽，在衬底上形成与第二直沟槽贯通的第一直沟槽，第一、第二直沟槽的宽度为第一宽度；继续刻蚀硬质掩膜层，使得第二直沟槽的宽度增大至第二宽度，其下方的衬底裸露；刻蚀裸露出的衬底，使得第二沟槽上方的宽度增大为第三宽度；将硬质掩膜层全部去除；淀积沟槽以形成栅极。本发明将硬质掩膜层部分刻蚀后会形成开口处略宽的直沟槽，栅极时不会提前收口，从而在栅极填充阶段不会出现裂缝。
基本信息
专利标题 ：
改善沟槽产品栅极填充的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496757A
申请号 ：
CN202210022070.1
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵伯宁沈浩峰杨毓龙陈兆轩
申请人 ：
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘昌荣
优先权 ：
CN202210022070.1
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L21/311 H01L21/033
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/28
申请日 : 20220110
申请日 : 20220110
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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