本发明提供一种屏蔽栅沟槽功效器件及其制备方法，包括：衬底，所述衬底具有器件区和电极连接区，所述器件区内具有第一沟槽，所述电极连接区内具有第二沟槽；源极多晶硅层，位于所述第二沟槽内，并充满所述第二沟槽；屏蔽栅，位于所述第一沟槽内，并填充所述第一沟槽的部分深度；栅极多晶硅层，位于所述屏蔽栅上，并填充所述第一沟槽的剩余深度；第一金属布线层，与所述电极连接区的最边缘的所述源极多晶硅层绝缘，并与所述栅极多晶硅层及剩余的所述源极多晶硅层电性连接。将所述电极连接区的最边缘的发生侧向刻蚀的所述源极多晶硅层与剩余的所述源极多晶硅层和所述栅极多晶硅层之间绝缘，从根本上避免了侧向刻蚀可能导致的器件短路现象。